• Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Meneer Patrick
    Snelle reactie en volledig begrip van de behoeften van de klant, goede service-instelling, wij zijn het eens met uw service.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Meneer Harrison
    Een serieuze servicehouding en producten van hoge kwaliteit verdienen ieders vertrouwen.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Anna
    Dit is een perfecte aankoop. De capaciteit van uw bedrijf om concurrerende prijzen en kwaliteitsproducten aan te bieden is zeer indrukwekkend.
Contactpersoon : will
Telefoonnummer : 13418952874
China IPB0401NM5S van de de Transistorelektronika van de halfgeleiderdiode de Componentengeul 100V

IPB0401NM5S van de de Transistorelektronika van de halfgeleiderdiode de Componentengeul 100V

Productaantal: IPB0401NM5S
Fabrikant: Infineon Technologies
Categorie: Enige FETs, MOSFETs
China FGD3N60UNDF de afzonderlijke Halfgeleiderproducten IGBT NPT 600V 6 een 60W-Oppervlakte zetten aan-252AA op

FGD3N60UNDF de afzonderlijke Halfgeleiderproducten IGBT NPT 600V 6 een 60W-Oppervlakte zetten aan-252AA op

Fabrikant: onsemi
Categorie: Enige IGBTs
Productaantal: FGD3N60UNDF
China FDC6321C machtsmosfet Serieic 25V 680mA 460mA 700mW Oppervlakteonderstel superSOT™-6

FDC6321C machtsmosfet Serieic 25V 680mA 460mA 700mW Oppervlakteonderstel superSOT™-6

Fabrikant: onsemi
Categorie: FET, MOSFET Series
Productaantal: FDC6321C
China IRF7480MTRPBF de Transistorn-channel 40V 217 A.C. 96W Tc Isometrische DirectFET van de weerstandsdiode ME

IRF7480MTRPBF de Transistorn-channel 40V 217 A.C. 96W Tc Isometrische DirectFET van de weerstandsdiode ME

Categorie: Enige FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Reeks: HEXFET®, StrongIRFET™
China Atp114-tl-h P-Channel van de Diodetransistor Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc de Oppervlakte zet ATPAK op

Atp114-tl-h P-Channel van de Diodetransistor Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc de Oppervlakte zet ATPAK op

Categorie: Enige FETs, MOSFETs
Mfr: onsemi
FET Type: P-Channel
China IPP65R110CFDA diodetransistor en Thyristor N-Channel 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc pg-to220-3

IPP65R110CFDA diodetransistor en Thyristor N-Channel 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc pg-to220-3

Categorie: Enige FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Reeks: Automobiel, aec-Q101, CoolMOS™
China Het Kanaalmosfet van IMZ120R090M1H INFINEON N Diode 1200 Gat pg-to247-4-1 van V 26A Tc 115W Tc Hrough

Het Kanaalmosfet van IMZ120R090M1H INFINEON N Diode 1200 Gat pg-to247-4-1 van V 26A Tc 115W Tc Hrough

Categorie: Enige FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Reeks: CoolSiC
China IPP65R110CFDA Mosfet van het hoge Machtsn Kanaal Logicaniveau N 650V 31.2A Tc 277.8W pg-to220-3

IPP65R110CFDA Mosfet van het hoge Machtsn Kanaal Logicaniveau N 650V 31.2A Tc 277.8W pg-to220-3

Categorie: Enige FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Reeks: Automobiel, aec-Q101, CoolMOS™
China FDS3992 n-Kanaalmosfet de Oppervlakte van Serieic 100V 4.5A 2.5W zet 8-SOIC op

FDS3992 n-Kanaalmosfet de Oppervlakte van Serieic 100V 4.5A 2.5W zet 8-SOIC op

Fabrikant: onsemi
Categorie: FET, MOSFET Series
Productaantal: FDS3992
China BUF420AW bipolaire de Diodetransistor 450 V 30 A 200 W van BJT NPN door Gat aan-247-3

BUF420AW bipolaire de Diodetransistor 450 V 30 A 200 W van BJT NPN door Gat aan-247-3

Categorie: Bipolaire Transistors - BJT
Mfr: STMicroelectronics
Transistortype: NPN
1 2