Alle producten
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Meneer Patrick
    Snelle reactie en volledig begrip van de behoeften van de klant, goede service-instelling, wij zijn het eens met uw service.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Meneer Harrison
    Een serieuze servicehouding en producten van hoge kwaliteit verdienen ieders vertrouwen.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Anna
    Dit is een perfecte aankoop. De capaciteit van uw bedrijf om concurrerende prijzen en kwaliteitsproducten aan te bieden is zeer indrukwekkend.
Contactpersoon : will
Telefoonnummer : 13418952874

Het Kanaalmosfet van IMZ120R090M1H INFINEON N Diode 1200 Gat pg-to247-4-1 van V 26A Tc 115W Tc Hrough

  • IMZ120R090M1H INFINEON N Channel Mosfet Diode 1200 V 26A Tc 115W Tc Hrough Hole PG-TO247-4-1
Plaats van herkomst Verenigde Staten
Merknaam Infineon Technologies
Certificering RoHS
Modelnummer IMZ120R090M1H
Min. bestelaantal 30 PCs
Prijs Negotiable
Verpakking Details 30 PCS/Tube
Levertijd 2-3 dagen
Betalingscondities L/C, D/A, D/P, T/T
Levering vermogen 18K PCs

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Categorie Enige FETs, MOSFETs Mfr Infineon Technologies
Reeks CoolSiC Productstatus Actief
FET Type N-Channel Technologie SiCFET (Siliciumcarbide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 1200 V Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 26A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 117mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5.7V @ 3.7mA Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs nC 21 @ 18 V
(Maximum) Vgs +23V, -7V Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 707 pF @ 800 V
(Maximum) machtsdissipatie 115W (Tc) Werkende temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat Het Pakket van het leveranciersapparaat Pg-to247-4-1
Pakket/Geval Aan-247-4
Hoog licht

n kanaalmosfet diode

,

IMZ120R090M1H INFINEON

,

diode door gat
Laat een bericht achter
Productomschrijving

IMZ120R090M1H N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Door Gat pg-to247-4-1

Eigenschappen: IMZ120R090M1H

Categorie Enige FETs, MOSFETs
Mfr Infineon Technologies
Reeks CoolSiC
Pakket Buis
Productstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie SiCFET (Siliciumcarbide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 1200 V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 26A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 117mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5.7V @ 3.7mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs nC 21 @ 18 V
(Maximum) Vgs +23V, -7V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 707 pF @ 800 V
(Maximum) machtsdissipatie 115W (Tc)
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Pg-to247-4-1
Pakket/Geval Aan-247-4
Het Aantal van het basisproduct IMZ120

Extra Middelen

ATTRIBUTEN BESCHRIJVING
Andere Namen 448-IMZ120R090M1HXKSA1
  Imz120r090m1hxksa1-Nd
  SP001946182
Standaardpakket 30

Gegevensbeeld: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IMZ120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fda8396690
 
 
Het Kanaalmosfet van IMZ120R090M1H INFINEON N Diode 1200 Gat pg-to247-4-1 van V 26A Tc 115W Tc Hrough 0
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

±
Markeringen:

IPP65R110CFDA

IPB0401NM5S

logisch niveau n kanaal mosfet