Alle producten
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Meneer Patrick
    Snelle reactie en volledig begrip van de behoeften van de klant, goede service-instelling, wij zijn het eens met uw service.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Meneer Harrison
    Een serieuze servicehouding en producten van hoge kwaliteit verdienen ieders vertrouwen.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Anna
    Dit is een perfecte aankoop. De capaciteit van uw bedrijf om concurrerende prijzen en kwaliteitsproducten aan te bieden is zeer indrukwekkend.
Contactpersoon : will
Telefoonnummer : 13418952874

FGD3N60UNDF de afzonderlijke Halfgeleiderproducten IGBT NPT 600V 6 een 60W-Oppervlakte zetten aan-252AA op

  • FGD3N60UNDF Discrete Semiconductor Products IGBT NPT 600V 6 A 60W Surface Mount TO-252AA
Plaats van herkomst Verenigde Staten
Merknaam onsemi
Certificering RoHS
Modelnummer FGD3N60UNDF
Min. bestelaantal 2500pcs
Prijs Negotiable
Verpakking Details 2500PCS/Tape
Levertijd 2-3 dagen
Betalingscondities L/C, D/A, D/P, T/T
Levering vermogen 2.5K PCs

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Fabrikant onsemi Categorie Enige IGBTs
Productaantal FGD3N60UNDF IGBT-type NPT
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender 600 V Huidig - Collector ((Maximum) Ic) 6A
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm) 9A (Maximum) Vce () @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A
Maximum macht - 60W Omschakelingsenergie 52µJ (), 30µJ (weg)
Inputtype Norm Poortlast 1.6 nC
(On/off) Td @ 25°C 5.5ns/22ns Beproevingsomstandigheid 400V, 3A, 10Ohm, 15V
Omgekeerde Terugwinningstijd (trr) 21 NS Werkende temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op Pakket/Geval Aan-252-3, DPak (2 Lood + Lusje), Sc-63
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-252AA
Hoog licht

FGD3N60UNDF

,

Afzonderlijke Halfgeleiderproducten

,

Diode en Transistor
Laat een bericht achter
Productomschrijving

FGD3N60UNDF IGBT NPT 600 V 6 een 60 w-Oppervlakte zet aan-252AA op

 

Informatieblad: FGD3N60UNDF

Categorie Enige IGBTs
Mfr onsemi
Productstatus Verouderd
IGBT-Type NPT
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender 600 V
Huidig - Collector ((Maximum) Ic) 6 A
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm) 9 A
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A
Maximum macht - 60 W
Omschakelingsenergie 52µJ(),30µJ(weg)
Inputtype Norm
Poortlast 1.6 nC
(On/off) Td @ 25°C 5.5ns/22ns
Beproevingsomstandigheid 400V, 3A, 10Ohm, 15V
Omgekeerde Terugwinningstijd (trr) 21 NS
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Pakket/Geval Aan-252-3, DPak (2 Lood + Lusje), Sc-63
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-252AA
Het Aantal van het basisproduct FGD3N60

Extra Middelen

ATTRIBUTEN BESCHRIJVING
Andere Namen FGD3N60UNDFCT
  FGD3N60UNDFTR
  FGD3N60UNDFDKR
Standaardpakket 2500

 

 

 

Gegevensbeeld: https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fgd3n60undf-d.pdf
FGD3N60UNDF de afzonderlijke Halfgeleiderproducten IGBT NPT 600V 6 een 60W-Oppervlakte zetten aan-252AA op 0

Markeringen:

IPP65R110CFDA

IPB0401NM5S

logisch niveau n kanaal mosfet