Alle producten
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Meneer Patrick
    Snelle reactie en volledig begrip van de behoeften van de klant, goede service-instelling, wij zijn het eens met uw service.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Meneer Harrison
    Een serieuze servicehouding en producten van hoge kwaliteit verdienen ieders vertrouwen.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Anna
    Dit is een perfecte aankoop. De capaciteit van uw bedrijf om concurrerende prijzen en kwaliteitsproducten aan te bieden is zeer indrukwekkend.
Contactpersoon : will
Telefoonnummer : 13418952874

IPP65R110CFDA Mosfet van het hoge Machtsn Kanaal Logicaniveau N 650V 31.2A Tc 277.8W pg-to220-3

  • IPP65R110CFDA High Power N Channel Mosfet Logic Level N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3
Plaats van herkomst Verenigde Staten
Merknaam Infineon Technologies
Certificering RoHS
Modelnummer IPP65R110CFDA
Min. bestelaantal 50 PCs
Prijs Negotiable
Verpakking Details 50 PCS/Tube
Levertijd 2-3 dagen
Betalingscondities L/C, D/A, D/P, T/T
Levering vermogen 6K PCs

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Categorie Enige FETs, MOSFETs Mfr Infineon Technologies
Reeks Automobiel, aec-Q101, CoolMOS™ Productstatus Actief
FET Type N-Channel Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 31.2A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4.5V @ 1.3mA Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs nC 118 @ 10 V
(Maximum) Vgs ±20V Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 3240 pF @ 100 V
(Maximum) machtsdissipatie 277.8W (Tc) Werkende temperatuur -40°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat Het Pakket van het leveranciersapparaat Pg-to220-3
Hoog licht

IPP65R110CFDA

,

mosfet van het hoge machtsn kanaal

,

het kanaalmosfet van het logicaniveau n
Laat een bericht achter
Productomschrijving

IPP65R110CFDA N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Door Gat pg-to220-3

 

Eigenschappen: IPP65R110CFDA

Categorie Enige FETs, MOSFETs
Mfr Infineon Technologies
Reeks Automobiel, aec-Q101, CoolMOS
Productstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650 V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25 ツー C 31.2A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4.5V @ 1.3mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs nC 118 @ 10 V
(Maximum) Vgs ±20V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 3240 pF @ 100 V
(Maximum) machtsdissipatie 277.8W (Tc)
Werkende Temperatuur -40°C~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Pg-to220-3
Pakket/Geval Aan-220-3
Het Aantal van het basisproduct IPP65R110

Extra Middelen

ATTRIBUTEN BESCHRIJVING
Andere Namen Ipp65r110cfdaaksa1-Nd
  448-IPP65R110CFDAAKSA1
  SP000895234
Standaardpakket 50

Gegevensbeeld: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
 
IPP65R110CFDA Mosfet van het hoge Machtsn Kanaal Logicaniveau N 650V 31.2A Tc 277.8W pg-to220-3 0
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

±
Markeringen:

IPP65R110CFDA

IPB0401NM5S

logisch niveau n kanaal mosfet